Method for deposition of silicon carbide and silicon carbide epitaxial wafer

WO2013089463 Art A1 20. Juni 2013

Anmelder: LG Innotek Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013089463
Aktenzeichen: EP12858094
Anmeldetag: 13. Dezember 2012
Veröffentlichung: 20. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LG Innotek Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 LG Innotek

Südkoreanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Seoul, Tochtergesellschaft der LG-Gruppe. Entwickelt Komponenten für Kamera- und Optikmodule, Halbleiterträger, Motoren und Materialien für Mobilgeräte, Fahrzeuge und Displays.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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