Metal-insulator-metal (mim) capacitor with insulator stack having a plurality of metal oxide layers

WO2013089711 Art A1 20. Juni 2013

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013089711
Aktenzeichen: EP11877353
Anmeldetag: 14. Dezember 2011
Veröffentlichung: 20. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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