Bipolar junction transistor structure for reduced current crowding and method of manufacturing the same

WO2013090250 Art A1 20. Juni 2013

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013090250
Aktenzeichen: EP12810476
Anmeldetag: 11. Dezember 2012
Veröffentlichung: 20. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/732H01L21/331H01L29/10H01L29/06H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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