Method for etching of sio2 layers on thin wafers

WO2013092759 Art A2 27. Juni 2013

Anmelder: Solvay SA 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013092759
Aktenzeichen: EP12812232
Anmeldetag: 19. Dezember 2012
Veröffentlichung: 27. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Solvay SA
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 Solvay

Belgischer Chemiekonzern mit Sitz in Brüssel, tätig in den Bereichen Spezialchemikalien, Materialien und Kunststoffe für Industrie und Konsumgüter. Das Unternehmen wurde 1863 gegründet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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