Methods of forming dilute nitride materials for use in photoactive devices and related structures

WO2013093579 Art A1 27. Juni 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013093579
Aktenzeichen: EP12797971
Anmeldetag: 12. November 2012
Veröffentlichung: 27. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L31/0687H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von