Methods of fabricating dilute nitride semiconductor materials for use in photoactive devices and related structures

WO2013093581 Art A1 27. Juni 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013093581
Aktenzeichen: EP12812334
Anmeldetag: 12. November 2012
Veröffentlichung: 27. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L31/0687H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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