Semiconductor device and method for manufacturing the same

WO2013094547 Art A1 27. Juni 2013

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013094547
Aktenzeichen: EP12860429
Anmeldetag: 10. Dezember 2012
Veröffentlichung: 27. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/28H01L21/363H01L21/8242H01L21/8247H01L27/108H01L27/115H01L29/417H01L29/786H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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