Thin film transistor and method for fabricating thin film transistor

WO2013094688 Art A1 27. Juni 2013

Anmelder: Japan Science and Technology Agency, Mitsubishi Materials Corporation, Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013094688
Aktenzeichen: EP12859617
Anmeldetag: 20. Dezember 2012
Veröffentlichung: 27. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/316H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Japan Science and Technology Agency
Mitsubishi Materials Corporation
Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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