Pulsed laser anneal process for transistors with partial melt of a raised source-drain

WO2013095340 Art A1 27. Juni 2013

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013095340
Aktenzeichen: EP11878103
Anmeldetag: 19. Dezember 2011
Veröffentlichung: 27. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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