Selenophene-Based Low Band Gap Active Layers By Chemical Vapor Deposition

WO2013095733 Art A2 27. Juni 2013

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013095733
Aktenzeichen: EP12839163
Anmeldetag: 25. September 2012
Veröffentlichung: 27. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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