Highly selective spacer etch process with reduced sidewall spacer slimming

WO2013096031 Art A2 27. Juni 2013

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013096031
Aktenzeichen: EP12859946
Anmeldetag: 12. Dezember 2012
Veröffentlichung: 27. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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