Method of making device

WO2013096334 Art A1 27. Juni 2013

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013096334
Aktenzeichen: EP12860217
Anmeldetag: 18. Dezember 2012
Veröffentlichung: 27. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/15H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von