Aluminum nitride based semiconductor devices

WO2013096821 Art A1 27. Juni 2013

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013096821
Aktenzeichen: EP12859278
Anmeldetag: 21. Dezember 2012
Veröffentlichung: 27. Juni 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/18H01L29/20H01L29/201

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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