Optical proximity correction method and corresponding mask pattern forming method
WO2013097574
Art A1
4. Juli 2013
Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013097574
- Aktenzeichen
- EP12861840
- Anmeldetag
- 28. November 2012
- Veröffentlichung
- 4. Juli 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F1/36G06F17/15
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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