Circuit for enhancing robustness of sub-threshold sram memory cell
WO2013097749
Art A1
4. Juli 2013
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013097749
- Aktenzeichen
- EP12861232
- Anmeldetag
- 27. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 4. Juli 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/413
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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