Mixed Mode Pulsing Etching in Plasma Processing Systems
WO2013098702
Art A2
4. Juli 2013
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013098702
- Aktenzeichen
- EP12862122
- Anmeldetag
- 17. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 4. Juli 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H05H1/46B44C1/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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