Method for producing semiconductor substrate product and etching method utilized therein

WO2013099955 Art A1 4. Juli 2013

Anmelder: FUJI-FILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013099955
Aktenzeichen: EP12862339
Anmeldetag: 26. Dezember 2012
Veröffentlichung: 4. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/308H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI-FILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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