Movement-free bending method for one-dimensional or two-dimensional nanostructure using ion beam

WO2013100424 Art A1 4. Juli 2013

Anmelder: Korea Research Institute of Standards and Science 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013100424
Aktenzeichen: EP12862918
Anmeldetag: 6. Dezember 2012
Veröffentlichung: 4. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: B82B3/00H01J17/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Research Institute of Standards and Science
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Research Institute of Standards and Science

Der Anmelder ist ein südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut für Metrologie mit Sitz in Daejeon, bekannt als KRISS. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt durch Halbleiterbauelemente, Software und Medizintechnik. Anmeldungen laufen seit 2002 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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