Fabrication of porous silicon electrochemical capacitors
WO2013100916
Art A1
4. Juli 2013
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013100916
- Aktenzeichen
- EP11878674
- Anmeldetag
- 27. Dezember 2011
- Veröffentlichung
- 4. Juli 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01G4/005
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
26.633 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.