Methods of forming hetero-layers with reduced surface roughness and bulk defect density on non-native surfaces and the structures formed thereby

WO2013101001 Art A1 4. Juli 2013

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013101001
Aktenzeichen: EP11878389
Anmeldetag: 28. Dezember 2011
Veröffentlichung: 4. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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