Sub-Second Annealing Lithography Techniques

WO2013101109 Art A1 4. Juli 2013

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013101109
Aktenzeichen: EP11878744
Anmeldetag: 29. Dezember 2011
Veröffentlichung: 4. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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