Compound tunneling field effect transistor integrated on silicon substrate and method for fabricating the same

WO2013101172 Art A1 4. Juli 2013

Anmelder: Seoul National University R&D Foundation, Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation, The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013101172
Aktenzeichen: EP11878543
Anmeldetag: 30. Dezember 2011
Veröffentlichung: 4. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/772H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Seoul National University R&D Foundation
Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation
The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation

Technologietransfer-Stiftung der staatlichen Kyungpook National University in Südkorea, zuständig für Forschungskooperationen und Patentverwertung. Patente decken ein breites Spektrum universitärer Forschung ab.

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🇺🇸 The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University

Rechtsträger der US-amerikanischen Stanford University in Kalifornien, der als Anmelder der zahlreichen Patente aus der Universitätsforschung fungiert. Schwerpunkte liegen unter anderem in Biotechnologie, Informatik und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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