Online test structure for residual stress of polycrystalline silicon material
WO2013102352
Art A1
11. Juli 2013
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013102352
- Aktenzeichen
- EP12864282
- Anmeldetag
- 25. Juli 2012
- Veröffentlichung
- 11. Juli 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01N27/04G01B7/16G01B21/32G01L1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
748 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.