Structured substrate for leds with high light extraction

WO2013102664 Art A1 11. Juli 2013

Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013102664
Aktenzeichen: EP13700019
Anmeldetag: 4. Januar 2013
Veröffentlichung: 11. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/10H01L33/46H01L33/22H01L33/00H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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