Nitride semiconductor laser and epitaxial substrate

WO2013103035 Art A1 11. Juli 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., Sony Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013103035
Aktenzeichen: EP12864237
Anmeldetag: 19. September 2012
Veröffentlichung: 11. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/20H01S5/34H01S5/343H01S5/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Sony Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Sony Group

Japanischer Technologie- und Unterhaltungskonzern mit Sitz in Tokio. Sony entwickelt Unterhaltungselektronik, Bildsensoren, Spielesysteme sowie Musik- und Filmangebote.

37.212 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von