Composition for forming passivation film, semiconductor substrate provided with passivation film and method for producing same, and solar cell element and method for producing same
WO2013103140
Art A1
11. Juli 2013
Anmelder: Hitachi Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013103140
- Aktenzeichen
- EP12864186
- Anmeldetag
- 28. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 11. Juli 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/316H01L21/312H01L31/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi Chemical
Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.
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