Transistor using single crystal silicon nanowire and method for manufacturing same

WO2013103163 Art A1 11. Juli 2013

Anmelder: Korea University Research and Business Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013103163
Aktenzeichen: EP12864334
Anmeldetag: 4. Januar 2012
Veröffentlichung: 11. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea University Research and Business Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea University Research and Business Foundation

Südkoreanische Einrichtung, die Forschungsprojekte und Technologietransfer der Korea University verwaltet, patentiert Ergebnisse aus universitärer Forschung in Naturwissenschaften, Technik und Medizin und überführt sie in Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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