Solid-state radiation transducer devices having at least partially transparent buried-contact elements, and associated systems and methods

WO2013103526 Art A1 11. Juli 2013

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013103526
Aktenzeichen: EP12864086
Anmeldetag: 19. Dezember 2012
Veröffentlichung: 11. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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