Tunneling field-effect transistor and manufacturing method thereof

WO2013104193 Art A1 18. Juli 2013

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013104193
Aktenzeichen: EP12864729
Anmeldetag: 6. September 2012
Veröffentlichung: 18. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/06H01L29/786H01L29/739H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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