Oxide thin film transistor and method for preparing same

WO2013104209 Art A1 18. Juli 2013

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd., Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013104209
Aktenzeichen: EP12864949
Anmeldetag: 12. November 2012
Veröffentlichung: 18. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: BOE Technology Group Co., Ltd.
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

9.260 Patente in unserer Datenbank

🇨🇳 Chengdu BOE Optoelectronics Technology

Chengdu BOE Optoelectronics Technology ist eine chinesische Tochtergesellschaft des Display-Herstellers BOE Technology Group mit Sitz in Chengdu, spezialisiert auf Flachbildschirme.

1.122 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von