Silicon single crystal wafer manufacturing method and electronic device

WO2013105179 Art A1 18. Juli 2013

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013105179
Aktenzeichen: EP12865531
Anmeldetag: 14. Dezember 2012
Veröffentlichung: 18. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/322H01L21/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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