Circuit and method for sensing a difference in voltage on a pair of dual signal lines, in particular through equalize transistor

WO2013107779 Art A1 25. Juli 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013107779
Aktenzeichen: EP13701730
Anmeldetag: 16. Januar 2013
Veröffentlichung: 25. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/06G11C11/4091G11C7/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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