Method and device for testing semiconductor substrates for radiofrequency application

WO2013108107 Art A1 25. Juli 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2013108107
Aktenzeichen
EP13702100
Anmeldetag
15. Januar 2013
Veröffentlichung
25. Juli 2013
Rechtsraum
WO
IPC
G01N27/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Soitec
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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