Process for manufacturing a semiconductor substrate, and semiconductor substrate obtained

WO2013108120 Art A1 25. Juli 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013108120
Aktenzeichen: EP13703133
Anmeldetag: 14. Januar 2013
Veröffentlichung: 25. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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