Chip capacitor and method for manufacturing same
WO2013108555
Art A1
25. Juli 2013
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013108555
- Aktenzeichen
- EP12865846
- Anmeldetag
- 26. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 25. Juli 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01G4/255H01G4/38
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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