Field-Effect Transistor

WO2013108630 Art A1 25. Juli 2013

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd, Kochi University Of Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013108630
Aktenzeichen: EP13739101
Anmeldetag: 18. Januar 2013
Veröffentlichung: 25. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/318H01L21/363H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Idemitsu Kosan Co., Ltd
Kochi University Of Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

2.158 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von