Structure for high-speed signal integrity in semiconductor package with single-metal-layer substrate

WO2013109308 Art A2 25. Juli 2013

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013109308
Aktenzeichen: EP12865942
Anmeldetag: 16. Juli 2012
Veröffentlichung: 25. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/48H01L23/538

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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