Low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of conformal silicon carbon nitride and silicon nitride films

WO2013109369 Art A1 25. Juli 2013

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013109369
Aktenzeichen: EP12865607
Anmeldetag: 14. Dezember 2012
Veröffentlichung: 25. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/44C23C16/452H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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