Static random access memory cell with single-sided buffer and asymmetric construction

WO2013109767 Art A1 25. Juli 2013

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013109767
Aktenzeichen: EP13738229
Anmeldetag: 17. Januar 2013
Veröffentlichung: 25. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/413G11C11/412

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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