Nonvolatile memory device using a tunnel oxide as a passive current steering element

WO2013109954 Art A2 25. Juli 2013

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, SanDisk 3D LLC 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013109954
Aktenzeichen: EP13702547
Anmeldetag: 18. Januar 2013
Veröffentlichung: 25. Juli 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00H01L21/02B82Y99/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
SanDisk 3D LLC
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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