Material for forming passivation film for semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor substrate comprising passivation film for semiconductor substrate, solar cell element, and method of manufacturing solar cell element

WO2013111463 Art A1 1. August 2013

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013111463
Aktenzeichen: EP12866962
Anmeldetag: 11. Dezember 2012
Veröffentlichung: 1. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/29H01L21/312H01L23/31H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Chemical Company, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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