Metal substrate with insulating layer, method for producing same, and semiconductor element

WO2013111566 Art A1 1. August 2013

Anmelder: Fujifilm Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013111566
Aktenzeichen: EP13740887
Anmeldetag: 22. Januar 2013
Veröffentlichung: 1. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C25D11/04B23K20/00C22C21/06H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujifilm Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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