Method for manufacturing semiconductor device

WO2013111592 Art A1 1. August 2013

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013111592
Aktenzeichen: EP13740552
Anmeldetag: 24. Januar 2013
Veröffentlichung: 1. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205C23C16/02C23C16/16H01L21/28H01L21/285H01L21/316H01L21/768H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von