Semiconductor device
WO2013111757
Art A1
1. August 2013
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013111757
- Aktenzeichen
- EP13740920
- Anmeldetag
- 16. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 1. August 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G06F1/32H01L21/336H01L21/822H01L21/8242H01L21/8247H01L27/04H01L27/10H01L27/105H01L27/108H01L27/115H01L29/786H01L29/788H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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