Non-Volatile Memory Cell Containing A Nano-Rail Electrode

WO2013112291 Art A1 1. August 2013

Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013112291
Aktenzeichen: EP13702524
Anmeldetag: 10. Januar 2013
Veröffentlichung: 1. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/41B82Y10/00B82Y40/00H01L27/10H01L45/00H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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