Method of forming conformal metal silicide films
WO2013112941
Art A1
1. August 2013
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013112941
- Aktenzeichen
- EP13740807
- Anmeldetag
- 25. Januar 2013
- Veröffentlichung
- 1. August 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/42
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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