Photoactive devices with improved distribution of charge carriers, and methods of forming same

WO2013114152 Art A1 8. August 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2013114152
Aktenzeichen
EP12818577
Anmeldetag
17. Dezember 2012
Veröffentlichung
8. August 2013
Rechtsraum
WO
IPC
H01L33/06H01L33/12H01L33/00H01L33/32
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Soitec
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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