Semiconductor device manufacturing method using silicon-containing resist underlayer film forming composition for solvent development

WO2013115032 Art A1 8. August 2013

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013115032
Aktenzeichen: EP13743393
Anmeldetag: 23. Januar 2013
Veröffentlichung: 8. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/32G03F7/40H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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