Method of depositing metals using high frequency plasma

WO2013116495 Art A1 8. August 2013

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013116495
Aktenzeichen: EP13743818
Anmeldetag: 31. Januar 2013
Veröffentlichung: 8. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/50C23C16/448C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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