Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

WO2013117028 Art A1 15. August 2013

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013117028
Aktenzeichen: EP12867980
Anmeldetag: 22. März 2012
Veröffentlichung: 15. August 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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